Пентапалладийтригаллий

Эта статья находится на начальном уровне проработки, в одной из её версий выборочно используется текст из источника, распространяемого под свободной лицензией
Материал из энциклопедии Руниверсалис
Пентапалладийтригаллий
Общие
Систематическое
наименование
Пентапалладийтригаллий
Традиционные названия Тригаллийпентапалладий
Хим. формула Pd5Ga3
Рац. формула Ga3Pd5
Физические свойства
Состояние кристаллы
Молярная масса 741,27 г/моль
Плотность 10,7 г/см³
Термические свойства
Температура
 • разложения 1020°C[1]
Классификация
Рег. номер CAS 61232-72-2
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.

Пентапалладийтригаллий — бинарное неорганическое соединение палладия и галлия с формулой Ga3Pd5, кристаллы.

Получение

  • Сплавление стехиометрических количеств чистых веществ:
[math]\displaystyle{ \mathsf{ 5Pd + 3Ga \ \xrightarrow{1020^oC}\ Ga_3Pd_5 } }[/math]

Физические свойства

Пентапалладийтригаллий образует кристаллы ромбической сингонии, пространственная группа P bam, параметры ячейки a = 0,5500 нм, b = 1,0535 нм, c = 0,4408 нм, Z = 2, структура типа пентародийтригаллия Ga3Rh5 [1][2][3].

Соединение образуется по перитектической реакции при температуре 1020 °C[1].

Применение

Примечания

  1. 1,0 1,1 1,2 Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под ред. Н. П. Лякишева. — М.: Металлургия, 1997. — Т. 2. — 1024 с. — ISBN 5-217-01569-1.
  2. H. Okamoto. Ga-Pd (Gallium-Palladium) // Journal of Phase Equilibria and Diffusion. — 2008. — Т. 29, № 5. — С. 466-467. — doi:10.1007/s11669-008-9363-3.
  3. B. Predel. Ga-Pd (Gallium-Palladium) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 1996. — Т. 5f. — С. 1-3. — doi:10.1007/10501684_1387.
  4. Liandi Li, Bingsen Zhang, Edward Kunkes, Karin Foettinger, Marc Armbruester, Dang Sheng Su, Wei Wei, Robert Schloegl, Malte Behrens. Ga-Pd/Ga2O3 Catalysts: The Role of Gallia Polymorphs, Intermetallic Compounds, and Pretreatment Conditions on Selectivity and Stability in Different Reactions // ChemCatChem. — 2012. — Т. 4, № 11. — С. 1764–1775. — doi:10.1002/cctc.201200268.