Фосфид индия

Фосфид индия
Фосфид индия
Общие
Хим. формула	InP
Физические свойства
Молярная масса	145.79 г/моль
Плотность	4.81 г/см³
Термические свойства
	Температура
• плавления	1062 °C
Структура
Кристаллическая структура	кубическая, структура сфалерита
	Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.

Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1.34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твердые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов. По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.

Ссылки