Арсенид индия

Арсенид индия
Общие
Хим. формула	InAs
Физические свойства
Молярная масса	189,74 г/моль
Плотность	5,68 г/см³
Термические свойства
Температура
• плавления	942 °C
Структура
Кристаллическая структура	кубическая, структура сфалерита a = 0,60584 нм
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.

Арсени́д и́ндия, — бинарное неорганическое соединение индия и мышьяка. Химическая формула соединения InAs. 

Кристаллизуется в структуре типа сфалерита.

Является прямозонным полупроводник, относящимся к полупроводникам группы A^IIIB^V. При 300 К имеет ширину запрещённой зоны около 0,35 эВ.

Применяется для изготовления сверхвысокочастотных транзисторов. Также, светодиодов и фотодиодов, работающих в инфракрасной области электромагнитного излучения, датчиков Холла магнитного поля, для организации ансамблей квантовых точек в некоторых полупроводниковых приборах.

Ввиду низкой ширины запрещённой зоны, большинство полупроводниковых приборов, изготовленных из этого материала работают только при криогенных или очень низких температурах.