Перейти к содержанию

Каскад с общим эмиттером

Эта статья находится на начальном уровне проработки, в одной из её версий выборочно используется текст из источника, распространяемого под свободной лицензией
Материал из энциклопедии Руниверсалис
Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn-транзистора (Схема с заземленным эмиттером)

При включении биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером (ОЭ) входной сигнал подаётся на базу относительно эмиттера, а выходной сигнал снимается с коллектора относительно эмиттера. При этом выходной сигнал инвертируется относительно входного (для гармонического сигнала с не очень высокой частотой фаза выходного сигнала сдвинута относительно входного на 180°, при высоких частотах фазовый сдвиг отличается от 180° из-за инерционности транзистора).

Данное включение транзистора позволяет получить наибольшее усиление по мощности, потому что усиливается и ток, и напряжение.

Общее описание включения транзистора по схеме ОЭ

Биполярные транзисторы, в отличие от полевых транзисторов, приборы управляемые током базы. Напряжение на прямо смещённом переходе база-эмиттер при этом остаётся почти постоянным и зависит от материала полупроводника, для германия около 0,2 В, для кремния около 0,65 В, но на сам каскад подаётся управляющее напряжение.

Ток базы, коллектора и эмиттера и другие токи и напряжения на электродах транзистора можно вычислить по закону Ома и правилам Кирхгофа для разветвлённой многоконтурной цепи.

Токи в транзисторе связаны нижеследующими соотношениями:

по правилу Кирхгофа для узлов алгебраическая сумма всех трёх токов ([math]\displaystyle{ I_e,\ I_c,\ I_b }[/math] — ток эмиттера, ток коллектора и ток базы соответственно) равна нулю:

[math]\displaystyle{ \sum_{k=1}^{3} I_k=0, }[/math]
[math]\displaystyle{ I_c=I_b\cdot \beta, }[/math]
[math]\displaystyle{ I_e=I_c+I_b=I_b\cdot(\beta+1), }[/math]
где [math]\displaystyle{ \beta =\alpha/(1-\alpha) }[/math] — коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером, или коэффициент передачи по току база — коллектор;
[math]\displaystyle{ \alpha=I_c/I_e }[/math] — коэффициент передачи тока эмиттера или коэффициент передачи по току эмиттер — коллектор.

Коэффициент усиления по току [math]\displaystyle{ K_I }[/math]:

[math]\displaystyle{ K_I = I_{out}/I_{in} = I_c/I_b = I_c/(I_e - I_c) = \alpha/(1-\alpha) = \beta,\ \ \beta \gg 1. }[/math]

Входное сопротивление [math]\displaystyle{ R_{in} }[/math]:

[math]\displaystyle{ R_{in} = U_{in}/I_{in} = U_{be}/I_b. }[/math]

Простейший усилительный каскад с общим эмиттером

Рисунок 1. Простейший каскад с общим эмиттером и его подключение к источнику сигнала, нагрузке и источнику питания

На рисунке 1 изображён простейший каскад с общим эмиттером и его подключение к источникам сигнала, питания и нагрузке.

Каскад состоит из:

  • транзистора [math]\displaystyle{ VT1 }[/math];
  • резистора базы [math]\displaystyle{ R_b }[/math], который задаёт начальное смещение транзистора по постоянному току;
  • резистора [math]\displaystyle{ R_c }[/math], преобразующий изменение тока коллектора в синхронно изменяющееся напряжение на коллекторе, а также задаёт положение начальной рабочей точки по току.

Для устранения постоянной составляющей входного сигнала источник сигнала подключается ко входу каскада через разделительный конденсатор [math]\displaystyle{ C_{P1} }[/math]. С той же целью выход каскада подключается к нагрузке [math]\displaystyle{ R_H }[/math] через конденсатор [math]\displaystyle{ C_{P2} }[/math]. Поскольку конденсаторы вносят во входную и выходную цепи дополнительное реактивное сопротивление, они снижают коэффициент передачи каскада на низких частотах, но при выборе достаточно больших величин их ёмкостей это снижение можно уменьшить.

Нагрузка каскада, изображённая на схеме в виде резистора [math]\displaystyle{ R_H }[/math] может представлять собой различные устройства или схемы, например, электродинамический громкоговоритель, некоторый индикатор, вход другого усилительного каскада и т. д.

Режим работы каскада

В активном усилительном режиме транзистор [math]\displaystyle{ VT1 }[/math] открыт, напряжение на его коллекторе, при отсутствии входного сигнала, для расширения динамического диапазона, составляет приблизительно половину напряжения питания [math]\displaystyle{ E_P }[/math] — положение начальной рабочей точки, задаваемой током базы, протекающим через резистор [math]\displaystyle{ R_b }[/math].

Постоянное напряжение на базе относительно эмиттера [math]\displaystyle{ U_{be} }[/math] от входного сигнала изменяется мало и составляет примерно 0,2 В для германиевых и 0,65 В для кремниевых транзисторов. Примерное постоянство напряжения [math]\displaystyle{ U_{be} }[/math] объясняется тем, что его зависимость от тока базы логарифмическая.

С учётом этого в режиме напряжение на коллекторе при постоянном [math]\displaystyle{ R_c }[/math] полностью определяется током, втекающем в базу через резистор [math]\displaystyle{ R_b }[/math]:

[math]\displaystyle{ U_c = E_P - I_c R_c = E_P - \beta I_b R_c }[/math][math]\displaystyle{ = E_P - \beta R_c \frac {E_P - U_{be}} {R_b}, }[/math]
где [math]\displaystyle{ \beta }[/math] — коэффициент усиления по току транзистора [math]\displaystyle{ VT1 }[/math] в схеме с общим эмиттером.

Таким образом, чтобы в режиме покоя получить на коллекторе напряжение [math]\displaystyle{ U_c }[/math], при заданном [math]\displaystyle{ R_c }[/math] необходимо задать сопротивление в цепи базы [math]\displaystyle{ R_b }[/math] равным:

[math]\displaystyle{ R_b = \beta R_c \frac{E_P - U_{be}}{E_P - U_c}. }[/math]

Входное и выходное сопротивления каскада

Входное [math]\displaystyle{ R_{in} }[/math] и выходное [math]\displaystyle{ R_{out} }[/math] сопротивления каскада равны:

[math]\displaystyle{ R_{in} = R_b || r_b = \frac{R_b r_b}{R_b + r_b}, }[/math]
[math]\displaystyle{ R_{out} = R_c || r_c = \frac{R_c r_c}{R_c + r_c}, }[/math]
где [math]\displaystyle{ r_b }[/math] и [math]\displaystyle{ r_c }[/math] — внутренние сопротивления базы и коллектора транзистора соответственно. Символом [math]\displaystyle{ || }[/math] сокращённо обозначается параллельное соединение сопротивлений.

Усиление сигнала

Сигнал источника [math]\displaystyle{ U_G }[/math] поступает на вход каскада через последовательно соединённые внутреннее сопротивление источника [math]\displaystyle{ R_G }[/math] и входное сопротивление каскада [math]\displaystyle{ R_{in} }[/math], вызывая входной ток:

[math]\displaystyle{ I_b^{\sim} = \frac{U_G}{R_G + R_{in}}. }[/math]

Учитывая, что по переменному току нагрузкой в цепи коллектора является сопротивление, имеем:

[math]\displaystyle{ R_H^' = R_H || R_{out} = \frac{R_H R_{out}}{R_H + R_{out}}, }[/math]

выходное напряжение каскада можно записать как:

[math]\displaystyle{ U_{out} = I_c^{\sim} R_H^' = \beta I_b^{\sim} R_H^' = \frac{\beta U_G R_H^'}{R_G + R_{in}}, }[/math]

а коэффициент усиления по напряжению [math]\displaystyle{ K_U }[/math]:

[math]\displaystyle{ K_U = \frac{U_{out}}{U_G} = \frac{\beta R_H^'}{R_G + R_{in}}. }[/math]
Достоинства каскада с ОЭ
  • Большой коэффициент усиления по току.
  • Большой коэффициент усиления по напряжению.
  • Наибольшее из всех каскадов усиление по мощности.
  • Для питания достаточно одного источника питания.
Недостатки
  • Более узкий частотный диапазон по сравнению со схемой с общей базой или с общим коллектором из-за влияния ёмкости коллектор-база, вызывающей эффект Миллера.
  • Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.

Ключевой режим каскада с общим эмиттером

При смещении рабочей точки в одно из двух крайних состояний на проходной характеристике — или в режим отсечки коллекторного тока, или в режим насыщения транзистора, каскад с ОЭ приобретает ключевые свойства и имеет два состояния. Каскад при этом работает в ключевом режиме, как реле (состояния закрыт, открыт) и применяется как логический инвертор в логических элементах, управлением электромагнитными реле, лампами накаливания и др. Как и контактные группы реле, ключевые каскады могут формально считаться нормально закрытыми (разомкнутыми) и нормально открытыми (замкнутыми), это определяется положением рабочей точки — отсечки или насыщения.

См. также

Ссылки

Шаблон:Транзисторные усилители