Сурис, Роберт Арнольдович

Эта статья находится на начальном уровне проработки, в одной из её версий выборочно используется текст из источника, распространяемого под свободной лицензией
Материал из энциклопедии Руниверсалис
Роберт Арнольдович Сурис
Дата рождения 31 декабря 1936(1936-12-31)
Место рождения Москва
Дата смерти 14 мая 2024(2024-05-14) (87 лет)
Страна  СССР Россия
Научная сфера физика твёрдого тела, микроэлектроника
Место работы ФТИ им. А. Ф. Иоффе
Альма-матер Московский институт стали и сплавов
Учёная степень доктор физико-математических наук (1974)
Учёное звание академик РАН (2006)
Научный руководитель В. Л. Бонч-Бруевич
Награды и премии
Государственная премия Российской Федерации — 2001
Премия имени А. Ф. Иоффе (2005)

Ро́берт Арно́льдович Су́рис (31 декабря 1936, Москва — 14 мая 2024) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук, академик РАН (2006).

Область научных интересов: теория твёрдого тела и полупроводников, теория твердотельных приборов и микроэлектронная технология, статистическая механика и фазовые переходы.

Биография

Сын известного архитектора Арнольда Суриса.

С отличием окончил физико-химический факультет МИСиСа (1960).

В 1964 году защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук, в 1974 году — диссертацию на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.

Работал в НИИ «Пульсар» (Москва) и НИИ физических проблем (Зеленоград). С 1988 года заведовал лабораторией, затем сектором теоретических основ микроэлектроники в Физико-техническом институте РАН.

30 мая 1997 года избран членом-корреспондентом РАН, 25 мая 2006 года избран действительным членом РАН по Отделению физических наук.

Профессор, заведующий кафедрой физики твёрдого тела СПбПУ (1989—2012), с 2011 года заведовал кафедрой физики конденсированного состояния Санкт-Петербургского академического университета.

Член редколлегий «Журнала технической физики», «Писем в Журнал технической физики» и журнала «Микроэлектроника». Член Президиума СПбНЦ РАН.

Был женат на дочери физика Б. Н. Финкельштейна (1902—1962)[1].

Скончался 14 мая 2024 года[2].

Научная деятельность

Специалист по физике твердотельных наноструктур, физике полупроводников и физическим основам твердотельной электроники. Совместно с Р. Ф. Казариновым разработал теорию электрических и оптических свойств полупроводниковых сверхрешёток, выдвинул идеи и разработал теории каскадных лазеров на основе полупроводниковых сверхрешёток, гетеролазеров с распределённой обратной связью. Развил теорию лазеров на квантовых точках.

Создал теорию пограничных состояний в полупроводниковых гетероструктурах и в структуре металл — оксид — полупроводник. Предсказал существование в плазме полупроводников волн перезарядки ловушек, определяющих свойства ИК-фотоприёмников и фоторефрактивных сред, и создал их теорию. Развил теорию фликкер-шумов в эпитаксиальных плёнках высокотемпературных сверхпроводников, теорию коллективных эффектов и многочастичных электронно-дырочных комплексов в наноструктурах и процессов эпитаксиального роста таких структур.

Имеет более 3000 цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша — 28[3].

Награды

Примечания

Ссылки