Список микроэлектронных производств

Эта статья находится на начальном уровне проработки, в одной из её версий выборочно используется текст из источника, распространяемого под свободной лицензией
Материал из энциклопедии Руниверсалис
Основная статья: Полупроводниковая промышленность

В данном списке собраны некоторые крупнейшие промышленные фабрики, производящие микроэлектронную технику. Указаны только действующие фабрики, занимающиеся изготовлением полупроводниковых структур СБИС. Для части фабрик указаны заявленные компаниями максимальные производительности.

В России и СНГ

Основная статья: Электронная промышленность России

Микроэлектронное производство в России[1]:

Компания Название фабрики Местоположение Примерная стоимость Начало производства Диаметр пластин, мм Техпроцесс, нм Производительность, пластин в месяц
НМ-Тех бывший завод Ангстрем-Т[1] (восстановление производства с помощью Микрон[2][3][4][5]) Флаг России Зеленоград 45 млрд рублей[6] + 355 млн рублей + 8,4 млрд рублей 05 августа 2016 года производство начато[7]. 2019 - остановка в связи с банкротством. 2023 - планируется возобновление 200 [6] 250-110[2][6] (возм. до 90 нм) 20000 [2][6]
Ангстрем Линия 150 Флаг России Зеленоград 150 600 (КНС/КНИ) 8000[8]
Линия 100 Флаг России Зеленоград 100 1200 (КНС) 4000[8]
НИИМЭ и Микрон Микрон Флаг России Зеленоград ~400 млн $[9] 2012 200 90 (массовое)

65 (опытное)

3000[10]
Микрон Флаг России Зеленоград 2009[11] 200 180
МИЭТ и Микрон Микрон Флаг России Зеленоград 2024-2030[12] 28
Крокус Наноэлектроника (КНЭ)[1] Флаг России Москва (АЗЛК) $200 млн[13] 2016[14] 200/300 90/55
только MRAM слои[15]		 до 4000
НИИИС[1] Флаг России Нижний Новгород 150 Маски, MEMS, СВЧ
НПК «Технологический центр» Флаг России Зеленоград 100
Исток[1] Флаг России Фрязино 150 мм
Микран[1] Флаг России Томск 25 марта 2015[16]. 100 мм
Группа Кремний ЭЛ[17] Флаг России Брянск 19 марта 2019 500
ВЗПП-Микрон Флаг России Воронеж 100/150 мм
Светлана-Полупроводники[18] Флаг России Санкт-Петербург
ВЗПП-С[19] Флаг России Воронеж
Синтез Микроэлектроника[20] Флаг России Воронеж 200 350
НЗПП с ОКБ[21] и НПП «Восток» Флаг России Новосибирск 100 мм 180/250[22]
НИИ Системных исследований РАН[23] Флаг России Москва 250/350/500 мелкосерийное производство, опытные партии
Протон[24] Флаг России Орёл
НПП Пульсар[25] Флаг России Москва
Российские космические системы[26] Флаг России Москва 76,2/100/150 1000
Росэлектроника Светлана-Рост Флаг России Санкт-Петербург 50,8/76,2/100 200/500/800/1000
Светлана-Электронприбор[27] Светлана-Электронприбор Флаг России Санкт-Петербург
НИИ полупроводниковых приборов[28] Флаг России Томск
Центральное конструкторское бюро автоматики[29] Флаг России Омск 900
ADGEX[30] Флаг России Санкт-Петербург 12,5 500
АО ОКБ-Планета Флаг России Великий Новгород 100 150

В Белоруссии микроэлектронное производство имеется у компании Интеграл (Минск):[31][32][33][34][35]

  • 200-миллиметровые пластины: 1 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм[33];
  • 150-миллиметровые пластины: 10 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм; 29,5 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 1,5 мкм
  • 100-миллиметровые пластины (техпроцесс до 2 мкм): 15 тысяч пластин в месяц

В других странах

Компания Название фабрики Местоположение Примерная стоимость, млрд долл. Начало производства Диаметр пластин, мм Техпроцесс, нм Производительность, пластин в месяц
Intel D1D[36] Hillsboro, Орегон, США 2003 300 22
Intel D1C[36] Hillsboro, Орегон, США 2001 300 32
Intel D1X[37] Hillsboro, Орегон, США 2013 300 22
Intel Fab 12[36] Chandler, Аризона, США 1996 300 65
Intel Fab 32[36][38] Chandler, Аризона, США 3 2007 300 45
Intel Fab 32[36][39] Chandler, Аризона, США 300 32 / 22
Intel Fab 42[40][41] Chandler, Аризона, США 5 2020[42] 300 10
Intel Fab 11x[36] Rio Rancho, New Mexico, США 2002 300 32
Intel Fab 11x[36] Rio Rancho, New Mexico, США 2002 300 45
Intel Fab 17[36] Hudson, Massachusetts, USA 1998 200
Intel Fab 10[36] Leixlip, Ирландия 1994 200
Intel Fab 14[36] Leixlip, Ирландия 1998 200
Intel Fab 24[36] Leixlip, Ирландия 2006 300 65
Intel Fab 24[36] Leixlip, Ирландия 2006 300 90
Intel Fab 28[36] Kiryat Gat, Израиль 2008 300 45 / 22
Intel Fab 68[36][43] Dalian, Китай 2,5 2010 300 65
Motorola MOTOFAB1[44] Guadalajara, Мексика 2002
Micron Virginia, США 300
GlobalFoundries Fab 1[45] Дрезден, Германия 2.5 2005 300 45 и менее 80 000
GlobalFoundries Fab 7[45] Сингапур 300 130-40 50 000
GlobalFoundries Fab 8[45][46] Malta, NY, США 4.6 2012 300 28 60 000
GlobalFoundries Fab 2[47] Сингапур 200 600-350 50 000
GlobalFoundries Fab 3/5[48] Сингапур 200 350-180 54 000
GlobalFoundries Fab 3E[47] Сингапур 200 180 34 000
GlobalFoundries Fab 6[47] Сингапур 200 110 45 000
GlobalFoundries Fab 9[49] Abu Dhabi, ОАЭ 2015
TSMC Fab 2[50] Hsinchu, Тайвань 150
TSMC Fab 3 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 5 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 6 Tainan, Тайвань 200
TSMC Fab 8 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 10 Shanghai, Китай 200
TSMC Fab 12 Hsinchu, Тайвань 300 28
TSMC Fab 12 Hsinchu, Тайвань 300 22
TSMC Fab 12(P4) Hsinchu, Тайвань
TSMC Fab 14 Tainan, Тайвань 300 28
TSMC WaferTech Fab 14 Camas, Washington, США 200
TSMC Fab 15[51] Taichung, Тайвань 2011Q4 300 28
TSMC Fab 15[51] Taichung, Тайвань конец 2011 300 20
TSMC Fab 16 Taichung, Тайвань План 300 28
UMC Fab 6A Hsinchu, Тайвань 150
UMC Fab 8AB Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8C Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8D Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8E Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8F Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8S Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 12A Tainan, Тайвань 300
UMC Fab 12 Сингапур 300
Vanguard International Semiconductor Corporation Fab 1 Тайвань, Hsinchu 200
Vanguard International Semiconductor Corporation Fab 2 Тайвань, Hsinchu 200
IM Flash IM Flash[52] Сингапур 2011.04 300 25
IM Flash IM Flash Lehi, Utah, США 300 20
IM Flash IM Flash Manassas, Virginia, США
NXP Semiconductors DHAM[53] Германия, Гамбург
NXP Semiconductors Китай, Jilin
NXP Semiconductors Великобритания, Манчестер
NXP Semiconductors ICN8 Нидерланды, Nijmegen
NXP Semiconductors SSMC Сингапур
IBM Building 323[54][55] East Fishkill, N.Y., США 2.5 2002 300
IBM Burlington Fab Essex Junction, VT, США 200
STMicroelectronics Crolles 1 / Crolles 200 Crolles, Франция 1993 200
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 2003 300 90
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 300 65
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 300 45
STMicroelectronics Crolles2 Crolles, Франция 300 32
STMicroelectronics Agrate Agrate Brianza, Italy 200
STMicroelectronics Catania Catania, Italy 1997 200
STMicroelectronics Rousset Rousset, Франция 2000 200
CNSE NanoFab 300 North[56] Albany, NY, США .175 2005 300 65
CNSE NanoFab 300 North[56] Albany, NY, США 300 45
CNSE NanoFab 300 North[56] Albany, NY, США 300 32
CNSE NanoFab 300 North[56] Albany, NY, США 300 22
CNSE NanoFab 300 South[56] Albany, NY, США .050 2004 300 22
CNSE NanoFab 200[57] Albany, NY, США .016 1997 200
CNSE NanoFab Central[56] Albany, NY, США .150 2009 300 22
Powerchip Semiconductor Memory Foundry[58] Тайвань 300 90
Powerchip Semiconductor Memory Foundry[58] Тайвань 300 70
Freescale Semiconductor ATMC[59] Остин, TX, США 1995 200 90
Freescale Semiconductor Chandler Fab[60] Chandler, Arizona, США 1.1[61] 1993 200 180
Freescale Semiconductor Oak Hill Fab[62] Остин, TX, США .8[63] 1991 200 250
Freescale Semiconductor Sendai Fab[64] Sendai, Япония 1987 150 500
Freescale Semiconductor Toulouse Fab[65] Toulouse, Франция 1969 150 650
SMIC S1 Mega Fab[66] Shanghai, Китай 200 90 94 тыс. суммарно на S1[67]
SMIC S1 Mega Fab[66] Shanghai, Китай 200 350
SMIC S1 Mega Fab[66] Shanghai, Китай 200 90
SMIC S2[66] Shanghai, Китай 300 45/40
SMIC Fab 8 Shanghai, Китай 200 45-28 нм 15 тысяч суммарно на F8[67]
SMIC Shanghai, Китай[68] 2,25[69] 2019 14нм
SMIC B1 Mega Fab[66] Beijing, Китай 2004 300 130
SMIC B1 Mega Fab[66] Beijing, Китай 2004 300 65/55 36 тысяч суммарно на B1[67]
SMIC Fab 7[66] Tianjin, Китай 2004 200 350 39 тысяч суммарно на F7[67]
SMIC Fab 7[66] Tianjin, Китай 200 130
Winbond Memory Product Foundry[70] Taichung, Тайвань 300 90
Winbond Memory Product Foundry[70] Taichung, Тайвань 300 65
MagnaChip F-5[71] Cheongju, Южная Корея 2005 200 130
ProMOS Fab 4[72][73] Taichung, Тайвань 1.6 300 70
Telefunken Semiconductors Heilbronn Heilbronn, Германия 150 10,000
Telefunken Semiconductors Roseville fab[74] Roseville, CA, США 200
Hynix M7[75] Icheon, Южная Корея 200
Hynix M8[75] Cheongju, Южная Корея 200
Hynix M9[75] Cheongju, Южная Корея 200
Hynix E1[75] Eugene, OR, США 200
Hynix HC1[75] Wuxi, Китай 200
Fujitsu Fab No. 1[76] Mie Prefecture, Япония 2005 300 90/65 15,000
Fujitsu Fab No. 2[76] Mie Prefecture, Япония 2007 300 90/65 25,000
Cypress Semiconductor[англ.] Minnesota fab Bloomington, MN, США 65
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 90
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 130
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 180
Cypress Semiconductor Minnesota fab Bloomington, MN, США 250
Cypress Semiconductor[англ.] Minnesota fab Bloomington, MN, США 1991 350
ON Semiconductor[англ.] Gresham[77] Gresham, OR, США Future 200 65
ON Semiconductor[англ.] Gresham[77] Gresham, OR, США 200 130
ON Semiconductor[англ.] Pocatello[78] Pocatello, ID США 200 350
ON Semiconductor[англ.] Pocatello[78] Pocatello, ID США 200 5000
National Semiconductor Greenock[79] Greenock, Scotland 150 20,833
National Semiconductor South Portland[80] South Portland, ME, США .932 1997 350
National Semiconductor South Portland[80] South Portland, ME, США 250
National Semiconductor South Portland[80] South Portland, ME, США 180
National Semiconductor West Jordan West Jordan, UT, США 1977 102
National Semiconductor Arlington Arlington, TX, США 1985 152
Samsung Line-16[81] Hwaseong, Южная Корея 2011 300 20 12,000
Samsung S2[82] Остин, TX, США 2011 300 32 40,000
Tower Semiconductor[англ.] Fab 1[83] Migdal Haemek, Израиль 1989 150[84] 350-1000
Tower Semiconductor[англ.] Fab 2[83] Migdal Haemek, Израиль 2003 200[84] 130-180
Tower Semiconductor[англ.] Fab 3[83] Newport Beach, Калифорния, США 1967 200[85] 130-500 17,000
Tower Semiconductor[англ.] Fab 4[83][86] Япония, Nishiwaki City
Tower Semiconductor[англ.] Agrate, Италия 300[84] 65
Tower Semiconductor[англ.] Fab 9[87] Сан-Антонио, TX, США 200[84] 180
TPSCo[88] (Tower Semiconductor[англ.] & NTCJ) Uozu fab Uozu-city Toyama, Япония 1984 300[84] 65-45
TPSCo[88] (Tower Semiconductor[англ.] & NTCJ) Tonami fab Tonami, Toyama, Япония 1994 200[84] 150-350

Примечания

  1. ↑ 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 Semiconductor Market Update Russia – Nov 2012 (англ.) (недоступная ссылка). SEMI Europe (November 2012). Дата обращения: 3 декабря 2013. Архивировано 25 октября 2013 года.
  2. ↑ 2,0 2,1 2,2 «Микрон» и наследник мощностей «Ангстрема-Т» сплотились для выпуска «суверенных» чипов карт «Мир» и биометрических паспортов. CNews.ru. Дата обращения: 5 октября 2022.
  3. ↑ «Ангстрем-Т» банкрот. Признано официально. https://www.cnews.ru/ (28.10.2019). Дата обращения: 6 ноября 2019. Архивировано 30 октября 2019 года.
  4. ↑ Анастасия Степанова. Завод микроэлектроники «Ангстрем-Т» — банкрот: как же бюджетные миллиарды?. regnum.ru (05.11.2019). Дата обращения: 6 ноября 2019. Архивировано 17 апреля 2020 года.
  5. ↑ Перезапущенный случай. «Коммерсантъ» (23 июня 2021). Дата обращения: 24 декабря 2021. Архивировано 24 декабря 2021 года.
  6. ↑ 6,0 6,1 6,2 6,3 Годовой отчет Открытого акционерного общества «Ангстрем-Т» за 2008 год Архивная копия от 15 января 2014 на Wayback Machine, 30.05.2008,
  7. ↑ Фабрика Ангстрем-Т введена в коммерческую эксплуатацию (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 августа 2016. Архивировано 10 августа 2016 года.
  8. ↑ 8,0 8,1 Производственная база / Кристальное производство Архивная копия от 13 января 2013 на Wayback Machine // Ангстрем
  9. ↑ David Manners, ST, Mikron to finish 90nm jv fab this year // Electronics Weekly, 1 March 2011
  10. ↑ Роснано и СИТРОНИКС, 2012.
  11. ↑ JSC Mikron, Experience of 90nm technology transfer and facilities upgrade Архивная копия от 25 мая 2015 на Wayback Machine // Andrey Golushko (JSC Mikron), Semicon Russia Conference, May 2012 (англ.)
  12. ↑ В России началось строительство фабрики для выпуска процессоров по технологии 28 нм. CNews.ru. Дата обращения: 20 сентября 2022.
  13. ↑ Портфельная компания РОСНАНО, 2013.
  14. ↑ О компании. Дата обращения: 28 февраля 2018. Архивировано 24 августа 2018 года.
  15. ↑ Производственные технологии. Дата обращения: 28 февраля 2018. Архивировано 24 августа 2018 года.
  16. ↑ в среду открыл в Томске завод радиоэлектроники
  17. ↑ Источник. Дата обращения: 29 марта 2019. Архивировано 29 марта 2019 года.
  18. ↑ Микрон консолидирует производства микроэлектроники: в состав группы вошел завод «Светлана-Полупроводники». Дата обращения: 18 апреля 2022. Архивировано 2 июля 2019 года.
  19. ↑ АО «ВЗПП-С» - Воронежский завод полупроводниковых приборов. Дата обращения: 29 марта 2019. Архивировано 29 марта 2019 года.
  20. ↑ Синтез Микроэлектроника. Дата обращения: 29 марта 2019. Архивировано 29 марта 2019 года.
  21. ↑ Источник. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 16 января 2022 года.
  22. ↑ Техперевооружение кластера микроэлектроники планируют завершить к 2020 году. | Infopro54 - Новости Новосибирска. Новости Сибири. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  23. ↑ Источник. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  24. ↑ Продукция АО «Протон». Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  25. ↑ Главная. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  26. ↑ Российские космические системы — Лидер космического приборостроения России. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 17 апреля 2019 года.
  27. ↑ Архивированная копия (недоступная ссылка). Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 2 января 2018 года.
  28. ↑ Источник. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  29. ↑ Источник. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  30. ↑ Источник. Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано 19 апреля 2019 года.
  31. ↑ Section 1 WORLDWIDE IC INDUSTRY ECONOMIC UPDATE AND FORECAST Архивная копия от 28 мая 2015 на Wayback Machine of STATUS 1997 // Integrated Circuit Engineering Corporation, ISBN 1-877750-56-5, pages 1-38, 1-40, 1-41, 1-42, (англ.)
  32. ↑ Smith, Sonnenfeld, Pellow, 2006, .
  33. ↑ 33,0 33,1 Russia’s Technology Industry Enters New Era (англ.), SEMI (2008). Архивировано 23 сентября 2015 года. Дата обращения 28 мая 2015. «».
  34. ↑ Интеграл, 2010.
  35. ↑ INTEGRAL Joint Stock Company. Архивная копия от 28 мая 2015 на Wayback Machine // INTEGRAL, 2012: «Production capacities. Wafer fabs», слайды 5, 6 (англ.)
  36. ↑ 36,00 36,01 36,02 36,03 36,04 36,05 36,06 36,07 36,08 36,09 36,10 36,11 36,12 36,13 Intel Global Manufacturing Facts Архивная копия от 24 января 2013 на Wayback Machine, 2011
  37. ↑ Intel Announces Multi-Billion-Dollar Investment in Next-Generation Manufacturing in U.S. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 28 октября 2011 года.
  38. ↑ Intels $3 Billion Fab Now Open for Business
  39. ↑ [PRESS KIT — Fab 32 (англ.). Дата обращения: 5 января 2014. Архивировано 4 октября 2013 года. PRESS KIT — Fab 32 (англ.)]
  40. ↑ Intel to Invest More than $5 Billion to Build New Factory in Arizona. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 5 ноября 2011 года.
  41. ↑ Intel's new $5 billion plant in Arizona has Obama's blessing. https://www.usatoday.com.+Дата обращения: 28 марта 0201. Архивировано 27 октября 2012 года.
  42. ↑ Intel наконец запустила масштабное 10-нм производство на новой фабрике Fab 42, которая строилась 9 лет Архивная копия от 3 ноября 2020 на Wayback Machine. 3DNews, 07.10.2020
  43. ↑ Intel Opens $2.5 Billion Fab Plant in China
  44. ↑ Exports and local development … — Patricia Ann Wilson Архивная копия от 23 марта 2017 на Wayback Machine: Motorola Plant Reference in a book
  45. ↑ 45,0 45,1 45,2 300mm Manufacturing Архивная копия от 4 мая 2012 на Wayback Machine // GlobalFoundries
  46. ↑ World’s Most Advanced Semiconductor Foundry To Use GE’s Water Purification System, The Street (14 июня 2010). Архивировано 11 октября 2012 года. Дата обращения 1 июня 2011.
  47. ↑ 47,0 47,1 47,2 200mm. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 4 мая 2012 года.
  48. ↑ 200mm. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 4 мая 2012 года.
  49. ↑ Cooper, Robin K.. GlobalFoundries to build Abu Dhabi plant in 2012 (24 мая 2011). Архивировано 2 июня 2011 года. Дата обращения 7 ноября 2011.
  50. ↑ Fab Locations. Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата обращения: 21 апреля 2012. Архивировано 8 сентября 2018 года.
  51. ↑ 51,0 51,1 TSMC Acquires PSC Land for New Fab Construction, Taiwan Economic News (13 января 2011). Архивировано 24 июля 2011 года. Дата обращения 13 января 2011.
  52. ↑ Intel, Micron open US$3 billion NAND flash facility in Singapore, DigiTimes (11 апреля 2011). Архивировано 6 августа 2020 года. Дата обращения 11 апреля 2011.
  53. ↑ About NXP. Дата обращения: 25 сентября 2012. Архивировано 4 октября 2012 года.
  54. ↑ IBM's Cutting-Edge $2.5 Billion Fab Reaps $500 Million in NY Incentives, The Site Selection (1 ноября 2000). Архивировано 7 сентября 2011 года. Дата обращения 16 апреля 2011.
  55. ↑ IBM's $2.5B fab turns Hudson into silicon valley, EE Times (2002-8-05). Архивировано 3 октября 2012 года. Дата обращения 27 мая 2011.
  56. ↑ 56,0 56,1 56,2 56,3 56,4 56,5 300mm Wafer Fabrication Архивная копия от 28 мая 2015 на Wayback Machine // Colleges of Nanoscale Science and Engineering
  57. ↑ 200mm Wafer Fabrication (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 25 декабря 2010 года.
  58. ↑ 58,0 58,1 Foundry Services (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 20 июля 2011 года.
  59. ↑ Freescale Austin Technology & Manufacturing Center. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 12 октября 2011 года.
  60. ↑ Freescale Chandler Fab. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 12 октября 2011 года.
  61. ↑ Motorola Restarts MOS 12 Facility Expansion, Electronic News (1999). Архивировано 8 июля 2012 года. Дата обращения 6 октября 2011.
  62. ↑ Freescale Oak Hill Fab. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 12 октября 2011 года.
  63. ↑ R & D Collaboration on Trial: The Microelectronics and Computer Technology Corporation, Harvard Business School Press (1994). Архивировано 10 июля 2015 года. Дата обращения 6 октября 2011.
  64. ↑ Freescale Sendai Fab. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 12 октября 2011 года.
  65. ↑ Freescale Toulouse Fab. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 12 октября 2011 года.
  66. ↑ 66,0 66,1 66,2 66,3 66,4 66,5 66,6 66,7 SMIC — Fab Information (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 27 ноября 2011 года.
  67. ↑ 67,0 67,1 67,2 67,3 Win-Win Collaboration & Partnership in Semiconductor Ecosystem From Foundry Perspective Архивная копия от 7 марта 2016 на Wayback Machine / GSA Forum at SEMICON Japan 2013, Dr. TY Chiu (CEO SMIC), page 25
  68. ↑ Китай срывает планы США. Страна начала импортонезависимое производство чипов по современным нормам. CNews.ru. Дата обращения: 20 сентября 2022.
  69. ↑ Webmaster. SMIC взяла на себя массовое производство SoC для HiSilicon на 14-нм техпроцессе FinFET | THG.RU. www.thg.ru (22 июля 2017). Дата обращения: 20 сентября 2022.
  70. ↑ 70,0 70,1 Memory Product Foundry (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 8 октября 2011 года.
  71. ↑ MagnaChip ups capex, tips 130-nm process (недоступная ссылка)
  72. ↑ ProMOS Goes for 70nm DRAM, SOFTPEDIA (13 августа 2007). Архивировано 18 октября 2012 года. Дата обращения 27 мая 2011.
  73. ↑ Record fab construction reached in second quarter, says report, EE Times (2 июля 2004). Архивировано 3 октября 2012 года. Дата обращения 31 мая 2011.
  74. ↑ Renesas sells U.S. fab to Telefunken, EE Times (30 марта 2011). Дата обращения 31 мая 2011.
  75. ↑ 75,0 75,1 75,2 75,3 75,4 Hynix to Accelerate Retirement of 200mm Fabrication Plants (недоступная ссылка)
  76. ↑ 76,0 76,1 Fujitsu to Construct New Fab for Logic Chips Employing 65nm Process Technology and 300mm Wafers. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 3 апреля 2012 года.
  77. ↑ 77,0 77,1 Gresham, USA. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 5 декабря 2011 года.
  78. ↑ 78,0 78,1 Pocatello, USA. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 16 августа 2011 года.
  79. ↑ Greenock, Scotland. Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 26 октября 2011 года.
  80. ↑ 80,0 80,1 80,2 South Portland, Maine (недоступная ссылка). Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано 20 июня 2011 года.
  81. ↑ SAMSUNG, 2011.
  82. ↑ Samsung's Austin Logic Line Breaks Record Achievements, Samsung (5 декабря 2011). Архивировано 12 мая 2012 года. Дата обращения 18 мая 2012.
  83. ↑ 83,0 83,1 83,2 83,3 TowerJazz Manufacturing. Дата обращения: 25 сентября 2012. Архивировано 14 июня 2012 года.
  84. ↑ 84,0 84,1 84,2 84,3 84,4 84,5 Manufacturing Overview - Tower Semiconductor (англ.) ?. towersemi.com (18 января 2018). Дата обращения: 1 сентября 2022.
  85. ↑ GSA, 2009, с. 85.
  86. ↑ Фабрика куплена у Micron в 2011 и закрыта в 2014. TowerJazz Reports Best Results in the History of the Company - Tower Semiconductor (англ.) ?. towersemi.com (13 февраля 2017). Дата обращения: 1 сентября 2022.
  87. ↑ "TowerJazz Completes Acquisition of Maxim's Fabrication Facility in San Antonio, Texas" (февраль 2016).
  88. ↑ 88,0 88,1 TPSCo Overview and History - Tower Semiconductor (англ.) ?. towersemi.com (7 апреля 2021). Дата обращения: 1 сентября 2022.

Литература

Ссылки

Источник — https://xn--h1ajim.xn--p1ai/index.php?title=Список_микроэлектронных_производств&oldid=11438524