Лукичев, Владимир Фёдорович
| Владимир Федорович Лукичев | |
|---|---|
| Дата рождения | 12 ноября 1954 (69 лет) |
| Страна |
 СССР→ Россия |
| Научная сфера | микроэлектроника |
| Место работы | Физико-технологический институт РАН, МИРЭА |
| Альма-матер | физический факультет МГУ |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук (1997) |
| Учёное звание | член-корреспондент РАН (2011) |
Владимир Федорович Лукичев (род. 12 ноября 1954 года) — советский и российский физик, специалист в области элементной базы вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем, член-корреспондент РАН (2011).
Биография
Родился 12 ноября 1954 года.
В 1972 году — окончил физико-математическую школу-интернат № 18 имени А. Н. Колмогорова.
В 1978 году — окончил физический факультет МГУ.
В 1983 году — защитил кандидатскую, а в 1997 году — докторскую диссертацию.
С 1988 года — работает в Физико-технологическом институте Российской Академии Наук, с апреля 2005 года — заместитель директора по научной работе, с мая 2017 года — директор института[2]
В 2011 году — избран членом-корреспондентом РАН.
Научная деятельность
Основные научные результаты:
- получены граничные условия (Куприянова-Лукичева) для квазиклассических неравновесных функций Грина, обобщение которых позволяет рассчитывать параметры структур на основе высокотемпературных сверхпроводников, джозефсоновских переходов с прослойкой из ферромагнетиков, а также многозонных сверхпроводников, таких как MgB2;
- разработана многокомпонентная модель реактивного ионного травления (РИТ) кремниевых микро- и наноструктур, исследованы предельные возможности РИТ, ограниченные апертурным эффектом, действием краевых полей и силами изображения;
- дано теоретическое обоснование апертурного эффекта, предсказан обратный апертурный эффект в процессах РИТ, что используется в проектировании интегральных схем; оптимизированы параметры технологического процесса глубокого анизотропного травления кремния с аспектными отношениями более 100, что используется при разработке и создании кремниевых микроэлектромеханических элементов для авиационных навигационных систем;
- разработана модель плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования сверхмелкозалегающих р-п переходов, что позволило получить р-п переходы с глубиной залегания до 10 нм для создания кремниевых нанотранзисторов и твердотельных квантовых компьютеров.
Автор более 70 научных публикаций.
Ведет преподавательскую деятельность в должности заведующего кафедрой полупроводниковых приборов Московского института радиотехники, электроники и автоматики.
Под его руководством защищены 1 докторская и 1 кандидатская диссертации.
Ответственный секретарь журнала «Микроэлектроника», заместитель председателя диссертационного совета, член экспертного совета ВАК при Минобрнауки России по электронике.
Примечания
- ↑ 1,0 1,1 Лукичев Владимир Федорович (ИС АРАН). isaran.ru. Дата обращения: 23 сентября 2017. Архивировано 20 апреля 2017 года.
- ↑ Приказ ФАНО России о назначении на должность директора Физико-технического института РАН Лукичева В. Ф. (pdf). ftian.ru. Дата обращения: 24 сентября 2017. Архивировано 1 ноября 2019 года.
Ссылки
- Лукичев, Владимир Фёдорович на официальном сайте РАН
- Лукичев, Владимир Фёдорович на математическом портале Math-Net.Ru