Грехов, Игорь Всеволодович
Игорь Всеволодович Грехов | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | |||||||||
Научная сфера | полупроводниковая электроника | ||||||||
Место работы | ФТИ им. А. Ф. Иоффе | ||||||||
Альма-матер | МВТУ им. Н. Э. Баумана | ||||||||
Учёная степень | доктор физико-математических наук (1974) | ||||||||
Учёное звание | академик РАН (2008) | ||||||||
Научный руководитель | В. М. Тучкевич | ||||||||
Награды и премии |
|
||||||||
И́горь Все́володович Гре́хов (род. 10 сентября 1934, Смоленск) — советский и российский учёный-физик, специалист в области мощной полупроводниковой электроники и импульсной техники. В течение нескольких десятилетий заведовал лабораторией в ФТИ им. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге.
Один из создателей новой отрасли промышленности в СССР — силового полупроводникового приборостроения. Лауреат Ленинской (1966) и двух Государственных (СССР—1987, РФ—2002) премий. Академик Российской академии наук (РАН) с 2008 года.
Биография
И. В. Грехов родился в 1934 году в семье школьных учителей. Среднюю школу окончил в Симферополе с золотой медалью[1].
В 1958 году окончил МВТУ им. Баумана в Москве и был распределён на завод «Электровыпрямитель» в Саранск (Мордовская АССР). Там в 1958—1962 годах работал инженером и начальником лаборатории.
В 1962 году переехал в Ленинград. Вся дальнейшая научная биография И. В. Грехова связана с Физико-техническим институтом (ФТИ АН СССР, с 1992 г. ФТИ РАН), где он последовательно занимал должности младшего и старшего научного сотрудника, заведующего сектором, лабораторией мощных полупроводниковых приборов, отделом, отделением[2]. Ныне — главный научный сотрудник.
Кандидатскую диссертацию защитил в 1967 году под руководством академика В. М. Тучкевича, докторскую — в 1975, обе в ФТИ. В 1991 году избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 2008 году стал академиком РАН по Отделению энергетики, машиностроения, механики и процессов управления (ОЭММПУ), секция энергетики[3].
В 1980—1990-е годы читал курс лекций «Основы физики полупроводниковых приборов» студентам Ленинградского политехнического института. Подготовил более 30 кандидатов наук, 10 его учеников впоследствии стали докторами наук. Профессор.
Входит в состав редколлегии журнала «Письма в ЖТФ». Эксперт РАН, член научного совета РАН по комплексной проблеме «Электрофизика, электроэнергетика и электротехника», был участником научно-координационного совета Федеральной целевой программы по развитию НПК России на 2008—2013 гг.[3].
Женат (супруга работала в Русском музее[1]), имеет сына.
В течение почти сорока лет (1962—2000) серьёзно занимался альпинизмом. Кандидат в мастера спорта (1976). Совершил свыше 150 восхождений, в том числе пятой категории сложности (см. о категориях) — 23, первовосхождений — 3, на «семитысячники» — 2. Работал инструктором и участвовал в спасательных работах в горах[4].
Научная деятельность
Основные области профессиональных интересов И. В. Грехова — физика полупроводниковых приборов, силовая полупроводниковая электроника, импульсная техника[2][5].
В 1960—1975 гг. он был одним из ведущих членов руководимого В. М. Тучкевичем коллектива, создавшего в СССР новую отрасль индустрии — силовое полупроводниковое приборостроение, что позволило радикально снизить энергозатраты во всех энергоёмких сферах.
Последующие выполненные им исследования физических процессов в электронно-дырочной плазме в полупроводниках дали возможность на порядки поднять предельную импульсную мощность приборов. Новые приборы, способные функционировать в диапазоне длительностей от сотен микросекунд до десятков пикосекунд, нашли применение в системах питания мощных лазеров и ускорителей, генераторов направленных импульсов электромагнитного излучения и многих импульсных промышленных технологиях.
Важнейшие мощные импульсные приборы, разработанные под руководством И. В. Грехова:
- Реверсивно-включаемые динисторы (РВД);
- Дрейфовые диоды с резким восстановлением (ДДРВ);
- Субнаносекундные обострители мощных импульсов;
- Интегральные тиристоры с полевым управлением.
Большинство приборов изготавливается на базе кремния, однако ведутся также исследования и разработки приборов на основе карбида кремния и других полупроводниковых материалов[2].
Учреждённое с участием И. В. Грехова инновационное предприятие «Мегаимпульс» производит генераторы с использованием созданных приборов для российских и зарубежных потребителей.
Среди других работ, проводившихся в разное время в лаборатории, возглавляемой И. В. Греховым, — изучение высокотемпературной сверхпроводимости, сегнетоэлектрической (PZT) памяти, структур металл-диэлектрик-полупроводник с туннельно-тонким диэлектриком, оптоэлектронных систем с пористым кремнием.
Публикации
И. В. Грехов — соавтор четырёх книг, свыше 600 научных статей и 200 изобретений. Имеет более 2400 цитирований своих научных работ, индекс Хирша — 24 (данные РИНЦ на конец 2020 г.)[6].
Публиковался в журналах Solid-State Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices и on Plasma Science, Journal of Applied Physics, УФН и других. В 1975 году на крупном научном форуме IEDM в Вашингтоне[1] представил обзор достижений силовой электроники в СССР того времени. Впоследствии многократно выступал с приглашёнными докладами по сильноточным твердотельным приборам.
Некоторые книги и статьи:
- Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. // Лавинный пробой pn-перехода в полупроводниках // Л.: Энергия (1980).
- Грехов И. В., Линийчук И. А. // Тиристоры, выключаемые током управления // Л.: Энергоиздат (1982).
- Тучкевич В. М., Грехов И. В. // Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, 1988.
- Грехов И. В., Месяц Г. А. // Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов // УФН, т. 175, с. 735—744 (2005) — см. статью.
- Grekhov I.V. // Pulse power generation in nano- and subnano- second range by means of ionizing fronts in semiconductors: the state of the art and future prospects // IEEE Transactions on Plasma Science, 38:5, pp. 1118—1123 (2010) — см. статью.
Награды и звания
Научная деятельность И. В. Грехова была отмечена премиями и наградами СССР и России[3][5]:
- Ленинская премия (1966)
- Государственная премия СССР (1987, руководитель работы)
- Государственная премия РФ (2002)
- Премия Правительства РФ (2006, руководитель работы)
- Премия Правительства Санкт-Петербурга (2010)
- Заслуженный изобретатель РСФСР (1975 г.)[7]
- Орден Дружбы народов (1981)
- Орден Почёта (1999)
- Орден Дружбы (2010)
В 2017 году вошёл в шорт-лист (топ-10) премии Глобальная энергия (данную премию, дипломы и ряд других наград присуждает одноимённая ассоциация англ. Global Energy Association, GEA)[8]. В 2021 году получил почётный диплом GEA «за выдающийся вклад в развитие электроэнергетики»[9].
Примечания
- ↑ 1,0 1,1 1,2 Computer History Museum, oral history — Oral History of Igor V. Grekhov Архивная копия от 27 декабря 2014 на Wayback Machine (total 44 pages, interviewed by: R. Remacle, May 15, 2012) — s. pages: 2 and 5, 21, 43.
- ↑ 2,0 2,1 2,2 Грехов Игорь Всеволодович — см. раздел «биографическая справка» . Информационная система «Архивы РАН». Дата обращения: 5 ноября 2017. Архивировано 8 ноября 2017 года.
- ↑ 3,0 3,1 3,2 Грехов Игорь Всеволодович (историческая справка, направления деятельности, публикации, награды) (недоступная ссылка). Сайт ОЭММПУ РАН. Дата обращения: 5 ноября 2017. Архивировано 9 ноября 2017 года.
- ↑ Статья об И. В. Грехове Архивная копия от 6 августа 2018 на Wayback Machine на сайте Клуба альпинистов «Санкт-Петербург» (2002).
- ↑ 5,0 5,1 А. И. Мелуа. Инженеры Санкт-Петербурга. Энциклопедия (2-е изд.) . — СПб—M: Изд-во Международного фонда истории науки, 1997. — С. 249: Грехов Игорь Всеволодович.
- ↑ Сведения о публикациях И. В. Грехова и данные об их цитируемости на сайте Elibrary . Дата обращения: 4 сентября 2019. Архивировано 4 сентября 2019 года.
- ↑ Журнал «Изобретатель и рационализатор» за 1976 год, № 1, стр. 33 (официально см. Указ Президиума Верховного Совета РСФСР № 780 от 21.08.1975 года).
- ↑ Глобальная энергия будет присуждена в пятнадцатый раз / / Независимая газета (недоступная ссылка). Дата обращения: 10 марта 2018. Архивировано 11 марта 2018 года.
- ↑ Ассоциация «Глобальная энергия» вручила Почетный диплом физику Игорю Грехову . Официальный сайт «Глобальной энергии» (20 декабря 2021). Дата обращения: 24 декабря 2021. Архивировано 24 декабря 2021 года.
Ссылки
- Профиль Грехова Игоря Всеволодовича на официальном сайте РАН
- Доктора физико-математических наук
- Действительные члены РАН
- Кавалеры ордена Почёта
- Кавалеры ордена Дружбы (Россия)
- Кавалеры ордена Дружбы народов
- Заслуженные изобретатели РСФСР
- Лауреаты Ленинской премии
- Лауреаты Государственной премии СССР
- Лауреаты Государственной премии РФ
- Лауреаты премии Правительства РФ в области науки и техники
- Персоналии по алфавиту
- Учёные по алфавиту
- Физики по алфавиту
- Педагоги по алфавиту
- Физики СССР
- Физики России
- Физики XX века
- Выпускники МГТУ
- Сотрудники Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе
- Преподаватели Санкт-Петербургского политехнического университета
- Лауреаты Государственной премии РФ в области науки и техники
- Выпускники школ Симферополя
- Преподаватели по алфавиту