Грехов, Игорь Всеволодович

Эта статья находится на начальном уровне проработки, в одной из её версий выборочно используется текст из источника, распространяемого под свободной лицензией
Материал из энциклопедии Руниверсалис
В Руниверсалис есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Грехов.
Игорь Всеволодович Грехов
Научная сфера полупроводниковая электроника
Место работы ФТИ им. А. Ф. Иоффе
Альма-матер МВТУ им. Н. Э. Баумана
Учёная степень доктор физико-математических наук (1974)
Учёное звание академик РАН (2008)
Научный руководитель В. М. Тучкевич
Награды и премии
Орден Почёта — 1999 Орден Дружбы — 2010 Орден Дружбы народов  — 1981
Ленинская премия — 1966 Государственная премия СССР — 1987 Государственная премия Российской Федерации — 2002 Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники — 2006

И́горь Все́володович Гре́хов (род. 10 сентября 1934, Смоленск) — советский и российский учёный-физик, специалист в области мощной полупроводниковой электроники и импульсной техники. В течение нескольких десятилетий заведовал лабораторией в ФТИ им. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге.

Один из создателей новой отрасли промышленности в СССР — силового полупроводникового приборостроения. Лауреат Ленинской (1966) и двух Государственных (СССР—1987, РФ—2002) премий. Академик Российской академии наук (РАН) с 2008 года.

Биография

И. В. Грехов родился в 1934 году в семье школьных учителей. Среднюю школу окончил в Симферополе с золотой медалью[1].

В 1958 году окончил МВТУ им. Баумана в Москве и был распределён на завод «Электровыпрямитель» в Саранск (Мордовская АССР). Там в 1958—1962 годах работал инженером и начальником лаборатории.

В 1962 году переехал в Ленинград. Вся дальнейшая научная биография И. В. Грехова связана с Физико-техническим институтом (ФТИ АН СССР, с 1992 г. ФТИ РАН), где он последовательно занимал должности младшего и старшего научного сотрудника, заведующего сектором, лабораторией мощных полупроводниковых приборов, отделом, отделением[2]. Ныне — главный научный сотрудник.

Кандидатскую диссертацию защитил в 1967 году под руководством академика В. М. Тучкевича, докторскую — в 1975, обе в ФТИ. В 1991 году избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 2008 году стал академиком РАН по Отделению энергетики, машиностроения, механики и процессов управления (ОЭММПУ), секция энергетики[3].

В 1980—1990-е годы читал курс лекций «Основы физики полупроводниковых приборов» студентам Ленинградского политехнического института. Подготовил более 30 кандидатов наук, 10 его учеников впоследствии стали докторами наук. Профессор.

Входит в состав редколлегии журнала «Письма в ЖТФ». Эксперт РАН, член научного совета РАН по комплексной проблеме «Электрофизика, электроэнергетика и электротехника», был участником научно-координационного совета Федеральной целевой программы по развитию НПК России на 2008—2013 гг.[3].

Женат (супруга работала в Русском музее[1]), имеет сына.

В течение почти сорока лет (1962—2000) серьёзно занимался альпинизмом. Кандидат в мастера спорта (1976). Совершил свыше 150 восхождений, в том числе пятой категории сложности (см. о категориях) — 23, первовосхождений — 3, на «семитысячники» — 2. Работал инструктором и участвовал в спасательных работах в горах[4].

Научная деятельность

Основные области профессиональных интересов И. В. Грехова — физика полупроводниковых приборов, силовая полупроводниковая электроника, импульсная техника[2][5].

В 1960—1975 гг. он был одним из ведущих членов руководимого В. М. Тучкевичем коллектива, создавшего в СССР новую отрасль индустрии — силовое полупроводниковое приборостроение, что позволило радикально снизить энергозатраты во всех энергоёмких сферах.

Последующие выполненные им исследования физических процессов в электронно-дырочной плазме в полупроводниках дали возможность на порядки поднять предельную импульсную мощность приборов. Новые приборы, способные функционировать в диапазоне длительностей от сотен микросекунд до десятков пикосекунд, нашли применение в системах питания мощных лазеров и ускорителей, генераторов направленных импульсов электромагнитного излучения и многих импульсных промышленных технологиях.

Важнейшие мощные импульсные приборы, разработанные под руководством И. В. Грехова:

  • Реверсивно-включаемые динисторы (РВД);
  • Дрейфовые диоды с резким восстановлением (ДДРВ);
  • Субнаносекундные обострители мощных импульсов;
  • Интегральные тиристоры с полевым управлением.

Большинство приборов изготавливается на базе кремния, однако ведутся также исследования и разработки приборов на основе карбида кремния и других полупроводниковых материалов[2].

Учреждённое с участием И. В. Грехова инновационное предприятие «Мегаимпульс» производит генераторы с использованием созданных приборов для российских и зарубежных потребителей.

Среди других работ, проводившихся в разное время в лаборатории, возглавляемой И. В. Греховым, — изучение высокотемпературной сверхпроводимости, сегнетоэлектрической (PZT) памяти, структур металл-диэлектрик-полупроводник с туннельно-тонким диэлектриком, оптоэлектронных систем с пористым кремнием.

Публикации

И. В. Грехов — соавтор четырёх книг, свыше 600 научных статей и 200 изобретений. Имеет более 2400 цитирований своих научных работ, индекс Хирша — 24 (данные РИНЦ на конец 2020 г.)[6].

Публиковался в журналах Solid-State Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices и on Plasma Science, Journal of Applied Physics, УФН и других. В 1975 году на крупном научном форуме IEDM в Вашингтоне[1] представил обзор достижений силовой электроники в СССР того времени. Впоследствии многократно выступал с приглашёнными докладами по сильноточным твердотельным приборам.

Некоторые книги и статьи:

  • Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. // Лавинный пробой pn-перехода в полупроводниках // Л.: Энергия (1980).
  • Грехов И. В., Линийчук И. А. // Тиристоры, выключаемые током управления // Л.: Энергоиздат (1982).
  • Тучкевич В. М., Грехов И. В. // Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, 1988.
  • Грехов И. В., Месяц Г. А. // Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов // УФН, т. 175, с. 735—744 (2005) — см. статью.
  • Grekhov I.V. // Pulse power generation in nano- and subnano- second range by means of ionizing fronts in semiconductors: the state of the art and future prospects // IEEE Transactions on Plasma Science, 38:5, pp. 1118—1123 (2010) — см. статью.

Награды и звания

Научная деятельность И. В. Грехова была отмечена премиями и наградами СССР и России[3][5]:

В 2017 году вошёл в шорт-лист (топ-10) премии Глобальная энергия (данную премию, дипломы и ряд других наград присуждает одноимённая ассоциация англ. Global Energy Association, GEA)[8]. В 2021 году получил почётный диплом GEA «за выдающийся вклад в развитие электроэнергетики»[9].

Примечания

  1. ↑ 1,0 1,1 1,2 Computer History Museum, oral history — Oral History of Igor V. Grekhov Архивная копия от 27 декабря 2014 на Wayback Machine (total 44 pages, interviewed by: R. Remacle, May 15, 2012) — s. pages: 2 and 5, 21, 43.
  2. ↑ 2,0 2,1 2,2 Грехов Игорь Всеволодович — см. раздел «биографическая справка». Информационная система «Архивы РАН». Дата обращения: 5 ноября 2017. Архивировано 8 ноября 2017 года.
  3. ↑ 3,0 3,1 3,2 Грехов Игорь Всеволодович (историческая справка, направления деятельности, публикации, награды) (недоступная ссылка). Сайт ОЭММПУ РАН. Дата обращения: 5 ноября 2017. Архивировано 9 ноября 2017 года.
  4. ↑ Статья об И. В. Грехове Архивная копия от 6 августа 2018 на Wayback Machine на сайте Клуба альпинистов «Санкт-Петербург» (2002).
  5. ↑ 5,0 5,1 А. И. Мелуа. Инженеры Санкт-Петербурга. Энциклопедия (2-е изд.). — СПб—M: Изд-во Международного фонда истории науки, 1997. — С. 249: Грехов Игорь Всеволодович.
  6. ↑ Сведения о публикациях И. В. Грехова и данные об их цитируемости на сайте Elibrary. Дата обращения: 4 сентября 2019. Архивировано 4 сентября 2019 года.
  7. ↑ Журнал «Изобретатель и рационализатор» за 1976 год, № 1, стр. 33 (официально см. Указ Президиума Верховного Совета РСФСР № 780 от 21.08.1975 года).
  8. ↑ Глобальная энергия будет присуждена в пятнадцатый раз / / Независимая газета (недоступная ссылка). Дата обращения: 10 марта 2018. Архивировано 11 марта 2018 года.
  9. ↑ Ассоциация «Глобальная энергия» вручила Почетный диплом физику Игорю Грехову. Официальный сайт «Глобальной энергии» (20 декабря 2021). Дата обращения: 24 декабря 2021. Архивировано 24 декабря 2021 года.

Ссылки

Источник — https://xn--h1ajim.xn--p1ai/index.php?title=Грехов,_Игорь_Всеволодович&oldid=24995911