Гомоэпитаксия

Эта статья находится на начальном уровне проработки, в одной из её версий выборочно используется текст из источника, распространяемого под свободной лицензией
Материал из энциклопедии Руниверсалис


Гомоэпитаксия (автоэпитаксия) — процесс ориентированного нарастания вещества, не отличающегося по химическому составу от вещества подложки[1]. Особенностью гомоэпитаксии является то, что кристаллические решетки подложки и растущего слоя практически не различаются между собой (имеется лишь небольшое различие периодов решетки, обусловленное различными концентрациями легирующего элемента). Это дает возможность получать эпитаксиальные слои с очень низкой плотностью дислокаций и других структурных дефектов.

Примеры

  • Получение кремниевых и германиевых n+-n и p+-p в технологии полупроводниковых материалов и интегральных схем.
  • Ньюмен и Гольдшмит рассматривают получение слоя арсенида галлия из газовой фазы с помощью автоэпитаксии[2].

См. также

Примечания

  1. М. А. Королев, ‎Т. Ю. Крупкина, ‎М. А. Ревелева, Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 1, М.: Бином. Лаборатория знаний, 2012
  2. Л. С. Палатник, Ориентированная кристаллизация / Л. С. Палатник, И. И. Папиров, Ориентированная кристаллизация. М.: «Металлургия», 1964