GlobalFoundries

Материал из энциклопедии Руниверсалис
GlobalFoundries Inc.
Тип Совместное предприятие
Основание 2 Марта 2009
Расположение Santa Clara, CA, USA
Ключевые фигуры Санджей Джа (CEO)[1]
Отрасль Полупроводниковые приборы Foundry
Продукция Полупроводниковые пластины
Оборот USD 5,545 млрд (2011) [2]
Число сотрудников 17000 [3]
Материнская компания ATIC
Сайт www.globalfoundries.com

GlobalFoundries Inc. — американская компания со штаб-квартирой в г. Мильпитасе (штат Калифорния), занимается производством полупроводниковых интегральных микросхем. GlobalFoundries была создана 2 марта 2009 года на основе производственного подразделения компании AMD, затем расширена путём слияния 13 января 2010 года с сингапурской компанией Chartered Semiconductor Manufacturing[4].

В марте 2012 года GlobalFoundries объявила, что достигла соглашения с AMD о приобретении у разработчика оставшейся части акций компании (в размере 8,8 %). По завершении сделки GlobalFoundries будет полностью принадлежать Advanced Technology Investment Company (ATIC), инвестиционной группе правительства Абу-Даби. Тем не менее, AMD остаётся одним из главных стратегических партнёров компании[5].

Согласно информации TrendForce на конец 2017 года, GlobalFoundries — второй по объёму контрактный производитель полупроводниковых микросхем с долей рынка 9,4 %. На первом месте находится TSMC (55,9 %), на третьем — United Microelectronics Corporation (8,5 %).[6]

Производство

В настоящее время GlobalFoundries принадлежат восемь заводов по производству 200-мм и 300-мм кремниевых пластин. Мощности располагаются в:

В Абу-Даби производств GlobalFoundries пока что нет, но уже принято решение и в ближайшие годы завод компании появится и здесь, неподалеку от международного аэропорта.

300-мм пластины выпускаются на Fab 1/7/8. Выпуск 200-мм пластин осуществляется на мощностях Fab 2/3/4/5/6.[7][8] Мощности производства оценивались на начало 2010-х годов в 1,6 миллиона 300-мм пластин и 2,2 миллиона 200-мм пластин в год[9].

Компания обладает тремя группами техпроцессов: Super High Performance (SHP), Low Power/Super Low Power (LP/SLP), High Performance (HP, Generic).[9] Имеет производство уровня до 14 и 12 нм[10][11][12][13].

GlobalFoundries производит интегральные схемы для таких компаний как AMD, IBM, Broadcom, Qualcomm, и STMicroelectronics. Ею производится APU Xenon для игровой консоли седьмого поколения Xbox 360 S.

См. также

Примечания

  1. Генеральным директором Globalfoundries стал бывший глава Motorola Mobility Архивная копия от 4 марта 2016 на Wayback Machine Архивировано 4 марта 2016 года. // IXBT, 10.01.2014
  2. Foundry grew 11% in 2016 to $50bn, says IC Insights Архивная копия от 3 января 2019 на Wayback Machine (англ.)
  3. GlobalFoundries fast facts Архивная копия от 11 октября 2011 на Wayback Machine (англ.)
  4. About GlobalFoundries. Дата обращения: 16 октября 2011. Архивировано 24 октября 2011 года.
  5. Globalfoundries выкупила оставшуюся долю AMD и стала полностью независимой. Дата обращения: 29 апреля 2012. Архивировано 24 апреля 2012 года.
  6. TrendForce Reports Top 10 Ranking of Global Semiconductor Foundries of 2017, TSMC Ranks First with Market Share of 55.9% (англ.). press.trendforce.com. Дата обращения: 8 апреля 2018. Архивировано 9 апреля 2018 года.
  7. 300mm Manufacturing. Дата обращения: 29 апреля 2012. Архивировано 4 мая 2012 года.
  8. 200mm Manufacturing. Дата обращения: 29 апреля 2012. Архивировано 4 мая 2012 года.
  9. 9,0 9,1 Dr. Udo Nothelfer. The Semiconductor Foundry Transition and it‘s Impact on the Mask Industry (англ.). GlobalFoundries, EMLC 2010 (9 февраля 2010). Дата обращения: 6 сентября 2014. Архивировано 6 сентября 2014 года.
  10. GlobalFoundries Adds 12LP Process for Mainstream and Automotive Chips; AMD Planning 12LP CPUs & GPUs. Дата обращения: 17 декабря 2019. Архивировано 17 декабря 2019 года.
  11. GlobalFoundries Unveils 12LP+ Technology: Massive Performance & Power Improvements. Дата обращения: 17 декабря 2019. Архивировано 3 марта 2020 года.
  12. VLSI 2018: GlobalFoundries 12nm Leading-Performance, 12LP – WikiChip Fuse. Дата обращения: 17 декабря 2019. Архивировано 7 апреля 2019 года.
  13. A 12nm FinFET Technology Featuring 2nd Generation FinFET for Low Power and High Performance Applications - IEEE Conference Publication. Дата обращения: 17 декабря 2019. Архивировано 17 декабря 2019 года.

Ссылки