Теллурид свинца

Теллурид свинца
Теллурид свинца
Общие
Хим. формула	PbTe
Физические свойства
Состояние	твердый
Молярная масса	334,80 г/моль
Плотность	8,16 г/см3 Период решетки 0,646 нм
Термические свойства
	Температура
• плавления	924 °C
Коэфф. тепл. расширения	19,8*10-6 K-1
Структура
Кристаллическая структура	кубическая, структура NaBr
	Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.

Теллури́д свинца́ (PbTe) — бинарное неорганическое химическое соединение свинца и теллура, кристаллизующееся в кубической структуре типа NaCl. Узкозонный прямозонный полупроводник группы A^IVB^VI ^[1] с шириной запрещённой зоны 0,31 эВ при 300 K. Популярный термоэлектрический материал. Встречается в природе в виде минерала алтаита.

Теллурид свинца имеет необычно высокую для полупроводников диэлектрическую проницаемость ([math]\displaystyle{ \epsilon_0= }[/math]410 при 300 K), величина которой увеличивается до 3000 при охлаждении до 7,8 K. Поэтому теллурид свинца относят к виртуальным сегнетоэлектрикам^[2].

Большое практическое значение имеет тройное соединение свинец-олово-теллур^[en], имеющее ширину запрещенной зоны, зависящую от количества олова. Оно используется при изготовлении фоторезисторов, фотодиодов, лазеров, работающих в инфракрасной области спектра.

Примечания

↑ Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа A4B6 (рус.) // Успехи физических наук : журнал. — Российская академия наук, 1985. — Т. 145. — С. 51—86. Архивировано 17 мая 2015 года.
↑ Bate, RT; Carter, DL; Wrobel, J. S. Paraelectric Behavior of PbTe (англ.) // Phys. Rev. Lett. : journal. — 1970. — Vol. 25. — P. 159—162. — doi:10.1103/PhysRevLett.25.159.

Ссылки

G. Nimtz, B. Schlicht. "Narrow-gap lead salts". In: Narrow-gap semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics, vol. 98, p. 1-117 (1983).
Dalven, R. A review of the semiconductor properties of PbTe, PbSe, PbS and PbO, Infrared Physics, 9, 141 - 184 (1969)
H. Preier. Recent Advances in Lead-Chalcogenide Diode Lasers, Applied Physics 10, 189-206, 1979.
H. Maier and J. Hesse. "Growth, Properties and Applications of Narrow-Gap Semiconductors" in Crystal Growth, Properties and Applications, ed. H.C. Freyhardt, 145-219, Springer Verlag, Berlin, 1980.

[1] Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа A4B6 (рус.) // Успехи физических наук : журнал. — Российская академия наук, 1985. — Т. 145. — С. 51—86. Архивировано 17 мая 2015 года.

[2] Bate, RT; Carter, DL; Wrobel, J. S. Paraelectric Behavior of PbTe (англ.) // Phys. Rev. Lett. : journal. — 1970. — Vol. 25. — P. 159—162. — doi:10.1103/PhysRevLett.25.159.

[1]

[2]