Закон Вегарда
Закон Вегарда — апроксимированное эмпирическое правило, которое гласит, что существует линейная зависимость при постоянной температуре между свойствами кристаллической решётки сплава и концентрацией отдельных его элементов[1][2].
Таким образом, параметры кристаллической решётки ([math]\displaystyle{ \mathit{a} }[/math]) твёрдого раствора (сплава) материалов с одинаковой структурой решётки, могут быть найдены путём линейной интерполяции между параметрами решётки исходных соединений, например для твёрдых растворов SixGe1-x и InPxAs1-x:
[math]\displaystyle{ \mathit{a}_{SiGe} = \mathit{x}\mathit{a}_{Si} + (1-\mathit{x})\mathit{a}_{Ge} }[/math]
[math]\displaystyle{ \mathit{a}_{InPAs} = \mathit{x}\mathit{a}_{InP} + (1-\mathit{x})\mathit{a}_{InAs} }[/math].
Можно также расширить это соотношение для определения энергии запрещенной зоны полупроводника. Используя, как и в предыдущем случае, InPxAs1-x, можно найти выражение, которое описывает зависимость энергии запрещенной зоны полупроводника [math]\displaystyle{ \mathit{E_g} }[/math] от соотношения её составляющих и параметра [math]\displaystyle{ \mathit{b} }[/math] где [math]\displaystyle{ \mathit{b} }[/math]-параметр прогиба(нелинейности), имеющий тем большее значение, чем сильнее различие периодов решёток компонентов:
[math]\displaystyle{ \mathit{E_g}_{InPAs} = \mathit{x}\mathit{E_g}_{InP}+(1-\mathit{x})\mathit{E_g}_{InAs}-\mathit{bx}(1-\mathit{x}) }[/math]
Примечания
- ↑ L. Vegard. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfüllung der Atome. Zeitschrift für Physik, 5:17, 1921.
- ↑ Harvard.edu Архивная копия от 15 февраля 2008 на Wayback Machine A. R. Denton and N. W. Ashcroft. Vegard’s law. Phys. Rev. A, 43:3161–3164, March 1991.