Диосмийлантан
| Диосмийлантан | |
|---|---|
| Общие | |
| Систематическое наименование |
Диосмийлантан |
| Традиционные названия | Лантандиосмий |
| Хим. формула | Os2La |
| Рац. формула | LaOs2 |
| Физические свойства | |
| Состояние | кристаллы |
| Молярная масса | 519,37 г/моль |
| Плотность | 14,9 г/см³ |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 12056-87-0 |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
Диосмийлантан — бинарное неорганическое соединение, интерметаллид осмия и лантана с формулой LaOs2, кристаллы.
Получение
- Сплавление стехиометрических количеств чистых веществ:
- [math]\displaystyle{ \mathsf{ 2\ Os + La \ \xrightarrow{T}\ LaOs_2 } }[/math]
Физические свойства
Диосмийлантан образует кристаллы гексагональной сингонии, пространственная группа P 63/mmc, параметры ячейки a = 0,5419 нм, c = 0,9083 нм, Z = 4, структура типа дицинкмагния MgZn2 (фаза Лавеса) [1].
При температуре ≈1000°С и давлении 7 ГПа образуется фаза кубической сингонии, пространственная группа F d3m, параметры ячейки a = 0,7743 нм, Z = 8, структура типа димедьмагния MgCu2 (фаза Лавеса) [2][3].
При температуре 6 К (гексагональная фаза) или 9 К (кубическая фаза) происходит переход в сверхпроводящее состояние[4][5].
Примечания
- ↑ Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под ред. Н. П. Лякишева. — М.: Машиностроение, 2001. — Т. 3 Книга 1. — 972 с. — ISBN 5-217-02843-2.
- ↑ John F. Cannon, Donald L. Robertson, H.Tracy Hall, A.C. Lawson. The effect of high pressure on the crystal structure of LaOs2 and CeOs2 // Journal of the Less Common Metals. — 1973. — Т. 31, № 1. — С. 174–176. — doi:10.1016/0022-5088(73)90142-2.
- ↑ B. Predel. La-Os (Lanthanum-Osmium) // Landolt-Börnstein - Group IV Physical Chemistry. — 1997. — Т. 5G. — С. 1. — doi:10.1007/10506626_1873.
- ↑ A. C. Lawson. Superconductivity of LaOs2 // Journal of the Less-Common Metals. — 1973. — Т. 32. — С. 173-174. Архивировано 2 апреля 2015 года.
- ↑ H.E. Hoenig, K. Baberschke, W. Schrittenlacher. Superconducting properties of LaOs2 // Solid State Communications. — 1975. — Т. 16, № 3. — С. 341–344. — doi:10.1016/0038-1098(75)90182-9.
